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STH12N120K5-2
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH12N120K5-2
Código de encomenda2807273
Gama de produtosMDmesh K5
Ficha técnica
1.618 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 10,340 € |
| 5+ | 8,900 € |
| 10+ | 7,450 € |
| 50+ | 6,860 € |
| 100+ | 6,260 € |
| 250+ | 6,130 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH12N120K5-2
Código de encomenda2807273
Gama de produtosMDmesh K5
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.62ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.62ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000907