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STHU36N60DM6AG
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.084 ohm, HU3PAK, Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTHU36N60DM6AG
Código de encomenda3864631RL
Gama de produtosMDmesh DM6 Series
Ficha técnica
107 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 3,750 € |
| 500+ | 3,360 € |
| 1000+ | 3,100 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
380,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTHU36N60DM6AG
Código de encomenda3864631RL
Gama de produtosMDmesh DM6 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.084ohm
Transistor Case StyleHU3PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM6 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
HU3PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
MDmesh DM6 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00232