Imprimir página
STL42P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTL42P6LLF6
Código de encomenda2807202
Gama de produtosSTripFET F6
Ficha técnica
730 Em Stock
3.000 Pode reservar stock agora
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 2,210 € |
| 10+ | 1,540 € |
| 100+ | 1,070 € |
| 500+ | 0,859 € |
| 1000+ | 0,836 € |
| 5000+ | 0,704 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
2,21 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTL42P6LLF6
Código de encomenda2807202
Gama de produtosSTripFET F6
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
Descrição geral do produto
STL42P6LLF6 is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. Suitable for switching applications.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Drain-source breakdown voltage is -60V at VGS = 0V, ID = -250µA
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is -42A
- 34mohm max static drain-source on resistance
- PowerFLAT 5x6 package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000142
Rastreabilidade de produtos