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STP150N10F7AG
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP150N10F7AG
Código de encomenda3886278
Gama de produtosSTripFET F7 Series
Ficha técnica
192 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 3,950 € |
| 10+ | 2,370 € |
| 100+ | 2,230 € |
| 500+ | 2,080 € |
| 1000+ | 1,940 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP150N10F7AG
Código de encomenda3886278
Gama de produtosSTripFET F7 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7 Series
QualificationAEC-Q101
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0019