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STP5N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP5N60M2
Código de encomenda4036333
Gama de produtosMDmesh M2 Series
Ficha técnica
718 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,941 € |
| 10+ | 0,823 € |
| 100+ | 0,682 € |
| 500+ | 0,612 € |
| 1000+ | 0,609 € |
| 5000+ | 0,605 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP5N60M2
Código de encomenda4036333
Gama de produtosMDmesh M2 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance1.3ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0019
Rastreabilidade de produtos