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STP8NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP8NK100Z
Código de encomenda1097115
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 5,360 € |
| 10+ | 2,970 € |
| 100+ | 2,790 € |
| 500+ | 2,330 € |
| 1000+ | 2,250 € |
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Mínimo: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP8NK100Z
Código de encomenda1097115
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance1.85ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
The STP8NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Improved ESD capability
- Very low intrinsic capacitance
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.008165