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STQ2LN60K3-AP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 600 mA, 4 ohm, TO-92, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTQ2LN60K3-AP
Código de encomenda4036336
Gama de produtosMDmesh K3 Series
Ficha técnica
3.595 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,775 € |
| 10+ | 0,530 € |
| 100+ | 0,350 € |
| 500+ | 0,269 € |
| 1000+ | 0,242 € |
| 5000+ | 0,178 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTQ2LN60K3-AP
Código de encomenda4036336
Gama de produtosMDmesh K3 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K3 Series
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K3 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00025
Rastreabilidade de produtos