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TSM220NB06CR RLG
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Surface Mount
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTSM220NB06CR RLG
Código de encomenda3773041
Ficha técnica
1.608 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,563 € |
| 10+ | 0,483 € |
| 100+ | 0,352 € |
| 500+ | 0,341 € |
| 1000+ | 0,330 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTSM220NB06CR RLG
Código de encomenda3773041
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StylePDFN56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PDFN56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0004
Rastreabilidade de produtos