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XP232N03013R-G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Surface Mount
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FabricanteTOREX
Nº da peça do fabricanteXP232N03013R-G
Código de encomenda3577874
Gama de produtosXP232N0301xx-G
Ficha técnica
2.885 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,225 € |
| 10+ | 0,210 € |
| 100+ | 0,178 € |
| 500+ | 0,110 € |
| 1000+ | 0,0876 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteTOREX
Nº da peça do fabricanteXP232N03013R-G
Código de encomenda3577874
Gama de produtosXP232N0301xx-G
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleSOT-323-3A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP232N0301xx-G
Qualification-
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Transistor Case Style
SOT-323-3A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP232N0301xx-G
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos