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SSM3J112TU,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J112TU,LF(T
Código de encomenda4387159
Também conhecido porSSM3J112TU, SSM3J112TU,LF
Ficha técnica
2.670 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,440 € |
| 50+ | 0,270 € |
| 100+ | 0,171 € |
| 500+ | 0,128 € |
| 1500+ | 0,115 € |
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Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J112TU,LF(T
Código de encomenda4387159
Também conhecido porSSM3J112TU, SSM3J112TU,LF
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000006
Rastreabilidade de produtos