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SSM3K62TU,LF(T
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K62TU,LF(T
Código de encomenda4415924
Também conhecido porSSM3K62TU, SSM3K62TU,LF
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,488 € |
| 10+ | 0,316 € |
| 100+ | 0,164 € |
| 500+ | 0,151 € |
| 1000+ | 0,136 € |
| 5000+ | 0,0937 € |
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Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K62TU,LF(T
Código de encomenda4415924
Também conhecido porSSM3K62TU, SSM3K62TU,LF
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000006
Rastreabilidade de produtos