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TK22E10N1,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK22E10N1,S1X(S
Código de encomenda4173045
Também conhecido porTK22E10N1, TK22E10N1,S1X
Ficha técnica
2.622 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 2,010 € |
| 10+ | 1,060 € |
| 100+ | 1,010 € |
| 500+ | 0,703 € |
| 1000+ | 0,661 € |
| 5000+ | 0,639 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK22E10N1,S1X(S
Código de encomenda4173045
Também conhecido porTK22E10N1, TK22E10N1,S1X
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source On State Resistance0.0115ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation72W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
72W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0115ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00193
Rastreabilidade de produtos