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TK30A06N1,S4X(S
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Through Hole
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK30A06N1,S4X(S
Código de encomenda3870106
Também conhecido porTK30A06N1 ,TK30A06N1,S4X
Ficha técnica
2.247 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,984 € |
| 10+ | 0,553 € |
| 100+ | 0,487 € |
| 500+ | 0,397 € |
| 1000+ | 0,354 € |
| 5000+ | 0,347 € |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK30A06N1,S4X(S
Código de encomenda3870106
Também conhecido porTK30A06N1 ,TK30A06N1,S4X
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source On State Resistance0.0122ohm
Transistor Case StyleTO-220SIS
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Transistor Case Style
TO-220SIS
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0122ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos