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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK8R2E06PL,S1X(S
Código de encomenda4173175
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
Também conhecido porTK8R2E06PL, TK8R2E06PL,S1X
Ficha técnica
1.360 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,720 € |
| 10+ | 0,828 € |
| 100+ | 0,756 € |
| 500+ | 0,542 € |
| 1000+ | 0,458 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
1,72 € (sem IVA)
Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK8R2E06PL,S1X(S
Código de encomenda4173175
Gama de produtosU-MOSIX-H Series
Também conhecido porTK8R2E06PL, TK8R2E06PL,S1X
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance6100µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation81W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
81W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
6100µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00193
Rastreabilidade de produtos