Imprimir página
TPW2R508NH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPW2R508NH,L1Q(M
Código de encomenda4173250RL
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
Também conhecido porTPW2R508NH, TPW2R508NH,L1Q
Ficha técnica
4.000 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 1,070 € |
| 500+ | 0,901 € |
| 1000+ | 0,839 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
112,00 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPW2R508NH,L1Q(M
Código de encomenda4173250RL
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
Também conhecido porTPW2R508NH, TPW2R508NH,L1Q
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation142W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
142W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos