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500+ | 0,667 € |
1000+ | 0,648 € |
5000+ | 0,566 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF530PBF
Código de encomenda8648280
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The IRF530PBF is an N-channel Power MOSFET provides the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirement
Aplicações
Industrial, Commercial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRF530PBF
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Mexico
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Mexico
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos