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IRFP22N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Through Hole
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| Quantidade | |
|---|---|
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| 10+ | 3,350 € |
| 100+ | 3,120 € |
| 500+ | 2,920 € |
| 1000+ | 2,860 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFP22N50APBF
Código de encomenda8649243
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
The IRFP22N50APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
- Simple drive requirements
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.006
Rastreabilidade de produtos