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Quantidade | |
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10+ | 1,770 € |
100+ | 1,640 € |
500+ | 1,360 € |
1000+ | 1,200 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFS11N50APBF
Código de encomenda8649944
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.52ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The IRFS11N50APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
- Simple drive requirements
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Effective COSS specified
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.52ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0018
Rastreabilidade de produtos