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SI2336DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5.2 A, 0.042 ohm, SOT-23, Surface Mount
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66.463 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
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| 500+ | 0,192 € |
| 1000+ | 0,173 € |
| 5000+ | 0,141 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2336DS-T1-GE3
Código de encomenda1858945RL
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
- N-channel 30V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- Used in DC/DC converters, boost converters
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000008