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SI2356DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount
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22.592 Em Stock
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| Quantidade | |
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| 500+ | 0,155 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2356DS-T1-GE3
Código de encomenda2646369
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.051ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
The SI2356DS-T1-GE3 from Vishay is a 40V SMD Power MOSFET, N Channel transistor in a SOT 23 case. Suitable for DC / DC converter, load switches, LED backlighting and power management applications.
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000127
Rastreabilidade de produtos