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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,612 € |
| 50+ | 0,541 € |
| 100+ | 0,450 € |
| 500+ | 0,373 € |
| 1500+ | 0,339 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
3,06 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3459BDV-T1-GE3
Código de encomenda2646376
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance0.216ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.216ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000129
Rastreabilidade de produtos