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Quantidade | |
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50+ | 0,706 € |
100+ | 0,516 € |
500+ | 0,447 € |
1000+ | 0,421 € |
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Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4431CDY-T1-GE3
Código de encomenda1858950
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
SI4431CDY-T1-GE3 is a single, P-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for load switch and battery switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- VDS is -30V, 0.032ohm RDS(on) max at VGS = -10V
- ±20V gate-source voltage
- 4.2W maximum power dissipation at TC = 25°C
- Pulsed drain current IDM is -30A
- Operating temperature range -55 to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
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1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000136
Rastreabilidade de produtos