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SI4447ADY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 7.2 A, 0.045 ohm, SOIC, Surface Mount
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50.913 Em Stock
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| 1000+ | 0,220 € |
| 5000+ | 0,175 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4447ADY-T1-GE3
Código de encomenda2056685RL
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7.2A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Descrição geral do produto
- 40V, 7.2A, P-channel TrenchFET® power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100% Rg tested
- 100 % UIS tested
- Suitable for load switches, adaptor switch and notebook PCs
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000138
Rastreabilidade de produtos