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Quantidade | |
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5+ | 1,830 € |
50+ | 1,340 € |
100+ | 1,060 € |
500+ | 0,855 € |
1000+ | 0,797 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
9,15 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4850EY-T1-GE3
Código de encomenda1858964
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The SI4850EY-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
- Halogen-free
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4850EY-T1-GE3
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000574
Rastreabilidade de produtos