Imprimir página
3.727 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,882 € |
| 500+ | 0,703 € |
| 1000+ | 0,654 € |
| 5000+ | 0,570 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
93,20 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7157DP-T1-GE3
Código de encomenda2471947RL
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0016ohm
On Resistance Rds(on)0.00125ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation104W
Power Dissipation Pd104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The SI7157DP-T1-GE3 is a 20V P-channel TrenchFET® Gen III Power MOSFET for mobile computing.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±12V Gate-source voltage
Aplicações
Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0016ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
E
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.00125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
Power Dissipation Pd
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7157DP-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000272
Rastreabilidade de produtos