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Quantidade | |
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100+ | 1,800 € |
500+ | 1,510 € |
1500+ | 1,290 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7469DP-T1-GE3
Código de encomenda2547304RL
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The SI7469DP-T1-GE3 is a 80VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7469DP-T1-GE3
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000396
Rastreabilidade de produtos