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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,526 € |
| 10+ | 0,395 € |
| 100+ | 0,277 € |
| 500+ | 0,211 € |
| 1000+ | 0,178 € |
| 5000+ | 0,134 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
2,63 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI8817DB-T2-E1
Código de encomenda3772797
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance0.061ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos