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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA110DJ-T1-GE3
Código de encomenda2932892
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
29.334 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,020 € |
| 10+ | 0,679 € |
| 100+ | 0,517 € |
| 500+ | 0,374 € |
| 1000+ | 0,340 € |
| 5000+ | 0,295 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
1,02 € (sem IVA)
Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA110DJ-T1-GE3
Código de encomenda2932892
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Israel
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002