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SIHFL9110TR-GE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Surface Mount
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,796 € |
| 50+ | 0,552 € |
| 100+ | 0,374 € |
| 500+ | 0,288 € |
| 1000+ | 0,260 € |
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Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHFL9110TR-GE3
Código de encomenda3772821
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIHFL9110TR-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos