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SIR426DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Surface Mount
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4.702 Em Stock
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| Quantidade | |
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| 500+ | 0,528 € |
| 1000+ | 0,463 € |
| 5000+ | 0,424 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR426DP-T1-GE3
Código de encomenda1794778RL
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation41.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos