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SIR516DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR516DP-T1-RE3
Código de encomenda3817728RL
Gama de produtosTrenchFET Gen V
Ficha técnica
3.908 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 1,080 € |
| 500+ | 0,865 € |
| 1000+ | 0,836 € |
| 5000+ | 0,710 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
113,00 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR516DP-T1-RE3
Código de encomenda3817728RL
Gama de produtosTrenchFET Gen V
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id63.7A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation71.4W
Power Dissipation Pd71.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71.4W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
63.7A
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
71.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIR516DP-T1-RE3
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.004536
Rastreabilidade de produtos