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SISH536DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 67.4 A, 3250 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH536DN-T1-GE3
Código de encomenda3677851RL
Gama de produtosTrenchFET Gen V
Ficha técnica
6.000 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,348 € |
| 500+ | 0,267 € |
| 1000+ | 0,241 € |
| 5000+ | 0,207 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 5
39,80 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH536DN-T1-GE3
Código de encomenda3677851RL
Gama de produtosTrenchFET Gen V
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id67.4A
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Drain Source On State Resistance3250µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd26.5W
Power Dissipation26.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
N-channel 30V (D-S) MOSFET in PowerPAK 1212-8SH package is typically used in DC/DC converter, POL, synchronous rectification, battery management, power and load switch applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package
- 100% Rg and UIS tested
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
26.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.4A
Drain Source On State Resistance
3250µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
26.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISH536DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0005
Rastreabilidade de produtos