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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS76LDN-T1-GE3
Código de encomenda3586062RL
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
11.175 Em Stock
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Quantidade | |
---|---|
100+ | 0,663 € |
500+ | 0,606 € |
1000+ | 0,562 € |
5000+ | 0,492 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS76LDN-T1-GE3
Código de encomenda3586062RL
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds70V
Continuous Drain Current Id67.4A
Drain Source On State Resistance0.00625ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.4A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
70V
Drain Source On State Resistance
0.00625ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos