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BSC018NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TDSON, Surface Mount
2.116 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,400 € |
| 10+ | 0,686 € |
| 100+ | 0,492 € |
| 500+ | 0,382 € |
| 1000+ | 0,352 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC018NE2LSATMA1
Código de encomenda2725802
Gama de produtosOptiMOS
Também conhecido porBSC018NE2LS, SP000756336
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id153A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS™ Power-MOSFET
- Optimized for high performance buck converter
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- N-channel, qualified according to JEDEC for target applications
- 153A maximum continuous drain current (VGS=10V, TC=25°C)
- 25V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- Gate threshold voltage range from 1.2 to 2.0V (VDS=VGS, ID=250µA)
- 10nA typical gate-source leakage current (VGS=20V, VDS=0V)
- 140S typical transconductance (VDS<gt/>2 ID RDS(on)max, ID=30A)
- PG-TDSON-8 package, operating temperature range from -55 to 150°C
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
153A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para BSC018NE2LSATMA1
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000389
Rastreabilidade de produtos