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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,447 € |
| 500+ | 0,351 € |
| 1500+ | 0,318 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH101DN-T1-GE3
Código de encomenda3019124RL
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0072ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISH101DN-T1-GE3
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001
Rastreabilidade de produtos