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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH101DN-T1-GE3
Código de encomenda4320277
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 47 semana(s)
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Quantidade | |
---|---|
3000+ | 0,249 € |
9000+ | 0,244 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
747,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISH101DN-T1-GE3
Código de encomenda4320277
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0058ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0058ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001
Rastreabilidade de produtos